變溫霍爾效應實驗儀  霍爾效應測定儀

型號：GH/HT-648

北京變溫霍爾效應實驗儀 型號：HT-648 霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數據采集和處理在80K-400K溫度范圍內對霍爾系數和電導率的聯合測量，進行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的一些基本參數，如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質電離能等。 主要技術指標 1．電磁鐵 0-300mT連續可調 2. 勵磁電源 0-5A連續可調 可自動換向 穩定性﹤±0.1% 3. 數字特斯拉計 0-2000mT 三位半數字顯示 分辨率0.001 4. 恒流源輸出 1mA 穩定性±0.1% 5. 數據采集系統霍爾電壓測量zui小分辨率1uV 6. 溫度變化測量范圍 80-400K 7. 整套儀器由電磁鐵系統、電源控制系統機箱、測量系統主機、恒溫器四部分組成 8. 探頭樣品采用單晶鍺片 
北京變溫霍爾效應實驗儀  型號：HT-648 霍爾效應的測量是開展半導體研究的重要方法。本機利用計算機的數據采集和處理在80K-400K溫度范圍內對霍爾系數和電導率的聯合測量，進行半導體導電機制及散射機制的研究，并可確定半導體的一些基本參數，如導電類型、載流子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質電離能等。 主要技術指標 1．電磁鐵 0-300mT連續可調 2. 勵磁電源 0-5A連續可調 可自動換向 穩定性﹤±0.1% 3. 數字特斯拉計 0-2000mT 三位半數字顯示 分辨率0.001 4. 恒流源輸出 1mA 穩定性±0.1% 5. 數據采集系統霍爾電壓測量zui小分辨率1uV 6. 溫度變化測量范圍 80-400K 7. 整套儀器由電磁鐵系統、電源控制系統機箱、測量系統主機、恒溫器四部分組成 8. 探頭樣品采用單晶鍺片