由正則角動量守恒出發，可以依次得到電子經過*、第二會切磁場后的角向速度vi、引導中心半徑rg及拉莫爾半徑rL.經過第二會切磁場后的電子束參量咖在陰極處及*磁會切處的徑向位置。

　　由式（4）可以看出，要得到大回旋軌道電子束，只需令/1 =一/2即可。

　　電子經過絕熱壓縮區，絕熱壓縮磁場從Bo緩慢變化到/mB（/m為絕熱壓縮磁場比例因子），由絕熱壓縮理論知電子磁矩保持不變及電子束環繞磁通保持不變，可以得到zui終電子束角向速度和引導中心半徑分別為電子束速度比為由此可以看出，電子束的速度比由會切磁場的比例因子/1和/2，絕熱壓縮磁場比例因子/m及電子在*磁會切時的徑向位置r1共同決定，這為雙磁會切電子槍橫縱速度比的調節提供了很大的自由度。

　　2雙磁會切電子槍的數值模擬與分析依據以上雙磁會切電子槍的理論模型，利用電子軌跡模擬程序EGUN對雙磁會切電子槍進行數值模擬計算。同時根據模擬結果對一些影響大回旋電子束性能的參數進行分析和討論。

　　2.1雙磁會切電子槍的數值模擬給出了在不同互作用磁場下，在徑向位置r=lcm處速度比與陰極磁場相互關系的理論計算結果，陽極電壓取70kV.由式（7）可以看出，在一定的互作用磁場下，隨著陰極磁場的增加，該式分子項增加，同時分母相應減小，從而電子束的速度比也隨著增加/旦當陰極磁場增加到一定值，電子運動向心力與洛侖茲力失去平衡，電子束zui終發生反射。一般要求速度比在1以上，陰極磁場可以設定在0.為不同互作用磁場下速度比隨陰極半徑的變化關系，陽極電壓仍取70kV，陰極磁場為0可以看出，當陰極半徑超過一定范圍，陰極周圍電場發生變化，電子束速度比急劇增加。應選擇陰極半徑在電子束的線性增長部分，這里選取陰極半徑為10mm即可。根據電子槍設計要求及理論計算的電子槍參數如表1所示。

　　表1電子束的性能要求和計算參數將上述電子槍參數及工作磁場加入EGUN軟件進行模擬，不斷調整優化，得到了考慮空間電荷效應后的雙磁會切電子槍的形狀和電子軌跡，如所示。

　　表2是電子軌跡收斂時得到的電子束的具體參量，可以看出，該雙磁會切電子槍產生的電子束已基本符合整管對電子束質量的要求。北京富瑞恒創科技有限公司。